“游戏机存储器MB85RS256BPNF-G-JNERE1”参数说明
功能结构: | 数/模混合集成电路 | 封装: | SMD |
制作工艺: | 半导体集成电路 | 导电类型: | 双极型 |
外形: | 扁平型 | 集成度高低: | 大规模集成电路 |
应用领域: | 标准通用 | 型号: | MB85RS256BPNF-G-JNER |
“游戏机存储器MB85RS256BPNF-G-JNERE1”详细介绍
MB85RS256BPNF-G-JNER是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行(I2C和SPI)和并行外设的FRAM产品,目前4Kb至4Mb的产品也已量产。
MB85RS256BPNF-G-JNER的优势
与传统存储器相比,FRAM具有下列优势:
非易失性
即使没有上电,也可以保存所存储的信息。
与SRAM相比,无需后备电池(环保产品)
更高速度写入
像SRAM一样,可覆盖写入
不要求改写命令
对于擦/写操作,无等待时间
写入循环时间 =读取循环时间
写入时间: E2PROM的1/30,000
具有更高的读写耐久性
确保最大1012次循环(100万亿循环)/位的耐久力
耐久性:超过100万次的 E2PROM
具有更低的功耗
不要求采用充电泵电路
功耗:低于1/400的E2PROM
MB85RS256BPNF-G-JNER的优势
与传统存储器相比,FRAM具有下列优势:
非易失性
即使没有上电,也可以保存所存储的信息。
与SRAM相比,无需后备电池(环保产品)
更高速度写入
像SRAM一样,可覆盖写入
不要求改写命令
对于擦/写操作,无等待时间
写入循环时间 =读取循环时间
写入时间: E2PROM的1/30,000
具有更高的读写耐久性
确保最大1012次循环(100万亿循环)/位的耐久力
耐久性:超过100万次的 E2PROM
具有更低的功耗
不要求采用充电泵电路
功耗:低于1/400的E2PROM