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SKM50GB12V功率IGBT模块

产品/服务:
有效期至: 长期有效
最后更新: 2017-10-31 16:46
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“SKM50GB12V功率IGBT模块”参数说明

是否有现货: 种类: 直流
相数: 1 操作机构: 电磁式
驱动方式: 液压式 动作方式: 直动式
型号: Skm50GB12V 规格: 1
商标: 西门康 包装: 纸箱

“SKM50GB12V功率IGBT模块”详细介绍

   可控硅的主要技术参数1.正向阻断峰值电压(VPFU)是指在控制极开路及正向阻断条件下,可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80%。2.反向阻断峰值电压(VPRU)它是指在控制极断路和额定结温度下,可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为最高反向测试电压值的80%。3.额定正向平均电流(IF)在环境温度为+40C时,器件导通(标准散热条件)可连续通过工频(即指供电网供给的电源频率.一般为50Hz或60Hz,我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。4.正向平均压降(UF)在规定的条件下,器件通以额定正向平均电流时,在阳极与阴极之间电压降的平均值。5.维持电流(IH)在控制极断开时,器件保持导通状态所必需的最小正向电流。6.控制极触发电流(Ig)阳极与阴极之间加直流6V电压时,使可控硅完全导通所必需的最小控制极直流电流。7.控制极触发电压(Ug)是指从阻断转变为导通状态时控制极上所加的最小直流电压.          
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姓名:林先生
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